隨著以太網(wǎng)技術(shù)在基站和機(jī)房監(jiān)控中的應(yīng)用，帶網(wǎng)口的采集設(shè)備越來(lái)越多，以前網(wǎng)絡(luò)設(shè)備大都用在機(jī)房和大樓的里面，機(jī)房和大樓本樓的防雷措施很充分，所以以前的帶網(wǎng)口的設(shè)備基本沒(méi)有考慮防雷的問(wèn)題，至多在網(wǎng)口處加一些瞬態(tài)抑制二極管（TVS管）防浪涌，其保護(hù)指標(biāo)很低（差模500V，共模1000V），當(dāng)設(shè)備使用在基站中時(shí)，因如上述原因，大量網(wǎng)絡(luò)采集設(shè)備在基站中因被雷擊而損壞。

面臨這種問(wèn)題，用戶的處理策略是在網(wǎng)口外加信號(hào)防雷器，以提高設(shè)備的防雷性能。但是，外加防雷器有很多不便，例如，需要重新做設(shè)備和防雷器直接的連接線，這樣連接點(diǎn)從原來(lái)的1個(gè)，增加為3個(gè)，故障率也增加了3倍。同時(shí)網(wǎng)口傳輸?shù)氖?0M/100M高速信號(hào)，而外加防雷器的分布電容很大，對(duì)網(wǎng)絡(luò)信號(hào)的傳輸會(huì)有影響，這種方式是以犧牲傳輸距離和速度來(lái)提高設(shè)備的防雷效果。

在環(huán)境動(dòng)力監(jiān)控系統(tǒng)中，提供并采用了一種既能提高防雷效果，防止網(wǎng)絡(luò)設(shè)備因雷擊損壞，又不會(huì)影響網(wǎng)絡(luò)傳輸性能，可以保證網(wǎng)絡(luò)傳輸距離和速度的監(jiān)控采集設(shè)備網(wǎng)口防雷電路。詳見圖2。

在如圖2所示的網(wǎng)口防雷電路中，在網(wǎng)絡(luò)變壓器和網(wǎng)口插座之間增加放電管和雙向瞬態(tài)電壓泄放電路組成的兩級(jí)防護(hù)電路，極大的增強(qiáng)了網(wǎng)口的差模防護(hù)能力。第一限流電阻R80、R82、R84、R88和氣體放電管EA16、EA17組成了一級(jí)防護(hù)電路，對(duì)雷擊的浪涌電壓進(jìn)行第一級(jí)保護(hù)，具有泄放雷電暫態(tài)過(guò)電流和限流過(guò)電壓作用。一級(jí)防護(hù)電路可以產(chǎn)生很大的泄放電流（3KA），大部分入侵能量通過(guò)地泄放。

在此基礎(chǔ)上，由U31和R81、R83、R85、R89組成的雙向瞬態(tài)電壓泄放電路組成了二級(jí)防護(hù)電路，對(duì)差分信號(hào)進(jìn)行雙向殘壓吸收，對(duì)雷擊的浪涌電壓進(jìn)行第二級(jí)保護(hù)，剩余能量經(jīng)過(guò)雙向瞬態(tài)電壓泄放電路泄放，到網(wǎng)絡(luò)變壓器的能量就很小了。在兩級(jí)防護(hù)電路的作用下，本電路具有良好的防雷效果，可以防止網(wǎng)絡(luò)設(shè)備因雷擊而造成的損壞。

在一級(jí)防護(hù)電路中，氣體放電管的寄生電容很小；在二級(jí)防護(hù)電路中，采用了由二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、二極管串連組成的瞬態(tài)電壓泄放集成IC，大大降低了二級(jí)防護(hù)電路中TVS管過(guò)大的結(jié)電容。所以，本網(wǎng)口防雷電路不會(huì)影響網(wǎng)絡(luò)傳輸性能，可以保證原來(lái)的網(wǎng)絡(luò)傳輸距離和傳輸速度，網(wǎng)絡(luò)傳輸距離和網(wǎng)口波形均可滿足規(guī)范要求，同時(shí)具有良好的防雷效果。

在如圖2所示的網(wǎng)口防雷電路中，在器件選型方面，為了不影響網(wǎng)絡(luò)波形和傳輸性能，第一限流電阻的阻值為歐姆級(jí)，在本電路中R80、R82、R84、R88的電阻值為4.7Ω。為了保護(hù)網(wǎng)絡(luò)變壓器，又不影響網(wǎng)絡(luò)傳輸性能，第二限流電阻（R81、R83、R85、R89）的阻值可以在0Ω至10Ω之間，最好在2Ω至3Ω之間，在本電路中R81、R83、R85、R89的電阻值為2.2Ω。

為了降低電路的體積同時(shí)減少分布電容的影響，本電路采用了由二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、二極管串連組成的瞬態(tài)電壓泄放集成IC（UFS08A2.8L04），因UFS08A2.8L04中含有4條由第一二極管、瞬態(tài)單向電壓抑制二極管、第二二極管依次串聯(lián)組成的瞬態(tài)電壓泄放支路，所以每路網(wǎng)口發(fā)送信號(hào)線的防雷電路和接收信號(hào)線的防雷電路可以共用一個(gè)UFS08A2.8L04芯片，大大的減小了電路的體積和分布電容的影響。